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零件图片(仅供参考)
APT25GN120B2DQ2G
规格参数
  • 制造商产品型号:APT25GN120B2DQ2G
  • 制造商:Microchip Technology
  • 描述:IGBT 1200V 67A 272W TMAX
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:NPT,沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):67A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):75A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,25A
  • 功率-最大值:272W
  • 开关能量:2.15μJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:155nC
  • 25°C时Td(开/关)值:22ns/280ns
  • 测试条件:800V,25A,4.3 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3 变式
  • APT25GN120B2DQ2G,Microchip产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:APT25GN120B2DQ2G
  • 原始制造厂商:Microchip
  • 技术标准参数:IGBT 1200V 67A 272W TMAX
  • 产品应用分类:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处查询APT25GN120B2DQ2G的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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