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零件图片(仅供参考)
APT80GA90S
规格参数
  • 制造商产品型号:APT80GA90S
  • 制造商:Microchip Technology
  • 描述:IGBT PT MOS 8 SINGLE 900 V 80 A
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:POWER MOS 8?
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:PT
  • 电压-集射极击穿(最大值):900V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):145A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):239A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):3.1V @ 15V,47A
  • 功率-最大值:625W
  • 开关能量:1.625mJ(开),1.389mJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:200nC
  • 25°C时Td(开/关)值:18ns/149ns
  • 测试条件:600V,47A,4.7 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
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    基本参数:
  • 电子零件型号:APT80GA90S
  • 原始制造厂商:Microchip
  • 技术标准参数:IGBT PT MOS 8 SINGLE 900 V 80 A
  • 产品应用分类:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处查询APT80GA90S的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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