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零件图片（仅供参考）
DN2535N3-G-P003
规格参数
  • 制造商产品型号：DN2535N3-G-P003
  • 制造商：Microchip Technology
  • 描述：MOSFET N-CH 350V 120MA TO92
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：350V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：120mA（Tj）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：0V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：25 欧姆 @ 120mA，0V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：300pF @ 25V
  • FET功能：耗尽模式
  • 功率耗散（最大值）：1W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-92（TO-226）
  • DN2535N3-G-P003，Microchip产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：DN2535N3-G-P003
  • 原始制造厂商：Microchip
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 350V 120MA TO92
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询DN2535N3-G-P003的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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