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零件图片(仅供参考)
DN2625DK6-G
规格参数
  • 制造商产品型号:DN2625DK6-G
  • 制造商:Microchip Technology
  • 描述:MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 N-通道(双)
  • FET功能:耗尽模式
  • 漏源电压(Vdss):250V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):1.1A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3.5 欧姆 @ 1A,0V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):-
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):7.04nC @ 1.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1000pF @ 25V
  • 功率-最大值:-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-VDFN
  • DN2625DK6-G,Microchip产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:DN2625DK6-G
  • 原始制造厂商:Microchip
  • 技术标准参数:MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询DN2625DK6-G的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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