DN2625DK6-G（Microchip，晶体管 - FET，MOSFET

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：DN2625DK6-G

制造商：Microchip Technology

描述：MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：2 N-通道（双）

FET功能：耗尽模式

漏源电压（Vdss）：250V

25°C时电流-连续漏极(Id)：1.1A

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.5 欧姆 @ 1A，0V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.04nC @ 1.5V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1000pF @ 25V

功率-最大值：-

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：8-VDFN

DN2625DK6-G，Microchip产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：DN2625DK6-G

原始制造厂商：Microchip

技术标准参数：MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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