LND150N3-G-P013（Microchip，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-92-3）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：LND150N3-G-P013

制造商：Microchip Technology

描述：MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：500V

25°C时电流-连续漏极(Id)：30mA（Tj）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：0V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1000 欧姆 @ 500μA，0V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：10pF @ 25V

FET功能：耗尽模式

功率耗散（最大值）：740mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

器件封装：TO-92-3

LND150N3-G-P013，Microchip产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：LND150N3-G-P013

原始制造厂商：Microchip

技术标准参数：MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询LND150N3-G-P013的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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