VP2110K1-G（Microchip，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-236AB（SOT23））

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：VP2110K1-G

制造商：Microchip Technology

描述：MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

25°C时电流-连续漏极(Id)：120mA（Tj）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：12 欧姆 @ 500mA，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：60pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：360mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：TO-236AB（SOT23）

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基本参数：

电子零件型号：VP2110K1-G

原始制造厂商：Microchip

技术标准参数：MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询VP2110K1-G的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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